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·和记·产品知识
方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然较..
发展趋势1、低功率IGBTIGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT·和记·产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等·和记·产品的应用。2、U-IGBTU（沟槽结构）--I..
IGBT的工作原理IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺..
IGBT 的驱动和保护进行了分析，结合实际应用，得出了如下几点结论：1. 栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对 IGBT 的开通过程及驱动脉冲的波形都有很大影响。设计时应综合考虑。2. 在大电感负载下，IGBT 的开关时间不能太短，以限制出 di/dt 形成的尖峰电压，确保..
IGBT的驱动电路必须具备两个功能：一是实现控制电路与被驱动 IGBT栅极的电隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。IGBT的驱动电路很多，分立元件搭成的驱动电路，简单、廉价；专用集成驱动电路保护功能完善、性能稳定，但价格稍贵些。获取海量变频器图纸，想了解..
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